Name: IPG20N10S4L22ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND
Price: 2.6691 EUR
Availability: InStock

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IPG20N10S4L22ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPG20N10S4L22ATMA1
Descrição	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 100V 20A 60W Montagem em superfície PG-TDSON-8-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPG20N10S4L22ATMA1 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 2,1V a 25µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 27nC a 10V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1755pF a 25V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 60W
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Configuração 2 canais N (duplo)	Qualificação AEC-Q101
Característica FET Porta de nível lógico	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 20A	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-4
Rds on (máx.) para Id, Vgs 22mOhm a 17A, 10V	Número base de produto IPG20N