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IPI086N10N3GXKSA1 está fora de estoque e pode ser colocado na pendência de pedidos.
Substitutos disponíveis:
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IPI086N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPI086N10N3GXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPI086N10N3GXKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 16 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Furo passante PG-TO262-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPI086N10N3GXKSA1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 8,6mOhm a 73A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,5V a 75µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 55 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 3980 pF @ 50 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 125W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO262-3 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
0 em estoque
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,90000 € | 1,90 € |
| 50 | 0,92240 € | 46,12 € |
| 100 | 0,82740 € | 82,74 € |
| 500 | 0,66080 € | 330,40 € |
| 1 000 | 0,60723 € | 607,23 € |
| 2 000 | 0,56218 € | 1 124,36 € |
| 5 000 | 0,53830 € | 2 691,50 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,90000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 2,33700 € |
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