Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 7.9581 EUR
Availability: InStock

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IPL65R099C7AUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPL65R099C7AUMA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Tempo de espera previsto do fabricante	48 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Montagem em superfície PG-VSON-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPL65R099C7AUMA1 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 590µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 45 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ C7	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2140 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 128W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-VSON-4
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 21A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTSFN-4
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPL65R099
Rds on (máx.) para Id, Vgs 99mOhm a 5,9A, 10V