Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 6.4452 EUR
Availability: InStock

IPL65R099C7AUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPL65R099C7AUMA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Tempo de espera previsto do fabricante	48 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Montagem em superfície PG-VSON-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPL65R099C7AUMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ C7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	99mOhm a 5,9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 590µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2140 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	128W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-VSON-4
Pacote / Invólucro	PowerTSFN-4
Número base de produto	IPL65R099

Preço unitário sem VAT:	5,24000 €
Preço unitário com VAT:	6,44520 €

IPL65R099C7AUMA1