Name: IPN70R1K4P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND
Price: 0.9594 EUR
Availability: InStock

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IPN70R1K4P7SATMA1
Número de produto da DigiKey	IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPN70R1K4P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPN70R1K4P7SATMA1
Descrição	MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 700 V 4A (Tc) 6,2W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPN70R1K4P7SATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 40µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 4.7 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±16V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 158 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 6,2W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 700 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-SOT223
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-261-4, TO-261AA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPN70R1
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,4Ohm a 700mA, 10V

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Fita e carretel (TR)