


IPN80R3K3P7ATMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPN80R3K3P7ATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 1,9A (Tc) 6,1W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPN80R3K3P7ATMA1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Última compra | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 3,3Ohm a 590mA, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,5V a 30µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 5.8 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 120 pF @ 500 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 6,1W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-SOT223 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 0,93000 € | 0,93 € |
| 10 | 0,58600 € | 5,86 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,23176 € | 695,28 € |
| 6 000 | 0,21372 € | 1 282,32 € |
| 9 000 | 0,20453 € | 1 840,77 € |
| 15 000 | 0,19421 € | 2 913,15 € |
| 21 000 | 0,18810 € | 3 950,10 € |
| 30 000 | 0,18216 € | 5 464,80 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,93000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,14390 € |








