Name: IPN95R3K7P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN95R3K7P7ATMA1TR-ND
Price: 1.353 EUR
Availability: InStock

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IPN95R3K7P7ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPN95R3K7P7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPN95R3K7P7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPN95R3K7P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPN95R3K7P7ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 950 V 2A (Tc) 6W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPN95R3K7P7ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 40µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 6 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 196 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 6W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 950 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-SOT223
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-261-4, TO-261AA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPN95R3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,7Ohm a 800mA, 10V

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Fita e carretel (TR)