IPP120N10S403AKSA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPP120N10S403AKSA1
Número de produto da DigiKey	IPP120N10S403AKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPP120N10S403AKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Furo passante PG-TO220-3-1
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,9mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 180µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	10120 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3-1
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IPP120

IPP120N10S403AKSA1