
IPP60R299CPXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPP60R299CPXKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 11A (Tc) 96W (Tc) Furo passante PG-TO220-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPP60R299CPXKSA1 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 440µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 29 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1100 pF @ 100 V |
Part Status Última compra | Dissipação de potência (máx.) 96W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO220-3 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 299mOhm a 6,6A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | 2,58000 € | Recomendado pelo fabricante |
| STP13N80K5 | STMicroelectronics | 1 507 | 497-13779-5-ND | 3,68000 € | Direct |
| FCP11N60 | onsemi | 1 602 | FCP11N60-ND | 3,55000 € | Similar |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 718 | IRF830APBF-ND | 3,35000 € | Similar |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 3,40000 € | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 3,22000 € | 3,22 € |
| 50 | 1,60800 € | 80,40 € |
| 100 | 1,45170 € | 145,17 € |
| 500 | 1,17792 € | 588,96 € |
| Preço unitário sem VAT: | 3,22000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 3,96060 € |

