IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

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IPP65R150CFDAAKSA1
Número de produto da DigiKey	IPP65R150CFDAAKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPP65R150CFDAAKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Furo passante PG-TO220-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPP65R150CFDAAKSA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	22,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	150mOhm a 9,3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 900µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2340 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	195,3W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IPP65R150

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	4,29000 €	4,29 €
50	2,23440 €	111,72 €
100	2,03540 €	203,54 €

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.