Name: IPP65R190C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R190C6XKSA1-ND
Price: 1.52082 EUR
Availability: OutOfStock

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Ficha técnica

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IPP65R190C6XKSA1
Número de produto da DigiKey	IPP65R190C6XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPP65R190C6XKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Furo passante PG-TO220-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPP65R190C6XKSA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	20,2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	190mOhm a 7,3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 730µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	73 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1620 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	151W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IPP65R190

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
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Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.