Name: IPP80R1K4P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP80R1K4P7XKSA1-ND
Price: 1.8573 EUR
Availability: OutOfStock

IPP80R1K4P7XKSA1
Número de produto da DigiKey	IPP80R1K4P7XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPP80R1K4P7XKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Tempo de espera previsto do fabricante	48 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Furo passante PG-TO220-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPP80R1K4P7XKSA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,4Ohm a 1,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 70µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	250 pF @ 500 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	32W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IPP80R1

Preço unitário sem VAT:	1,51000 €
Preço unitário com VAT:	1,85730 €

IPP80R1K4P7XKSA1