Name: IPT007N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT007N06NATMA1TR-ND
Price: 7.8966 EUR
Availability: InStock

IPT007N06NATMA1
Número de produto da DigiKey	IPT007N06NATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPT007N06NATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPT007N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT007N06NATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPT007N06NATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	300A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,75mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,3V a 280µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	287 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	16000 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8-1
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN
Número base de produto	IPT007

Preço unitário sem VAT:	6,42000 €
Preço unitário com VAT:	7,89660 €

IPT007N06NATMA1