Name: IPT012N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT012N08N5ATMA1TR-ND
Price: 7.5399 EUR
Availability: InStock

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IPT012N08N5ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPT012N08N5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPT012N08N5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPT012N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT012N08N5ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPT012N08N5ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,8V a 280µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 223 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 17000 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8-1
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 300A (Tc)	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto IPT012
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,2mOhm a 150A, 10V