Name: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT023N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 6.4083 EUR
Availability: InStock

Canal N 100 V 27A (Ta), 243A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-1

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPT023N10NM5LF2ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPT023N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPT023N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPT023N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT023N10NM5LF2ATMA1
Descrição	IPT023N10NM5LF2ATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 27A (Ta), 243A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPT023N10NM5LF2ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,1mOhm a 100A, 15V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3,9V a 193µA
Séries OptiMOS™ 5	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 144 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 12000 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 27A (Ta), 243A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN