Name: IPT026N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.8142 EUR
Availability: InStock

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IPT026N12NM6ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPT026N12NM6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPT026N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT026N12NM6ATMA1
Descrição	IPT026N12NM6ATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 120 V 23A (Ta), 224A (Tc) 3W (Ta), 283W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPT026N12NM6ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,6mOhm a 115A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3,6V a 169µA
Séries OptiMOS™ 6	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 88 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6500 pF @ 60 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 283W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 120 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 23A (Ta), 224A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN