Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 6.273 EUR
Availability: InStock

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IPT039N15N5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT039N15N5ATMA1
Descrição	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPT039N15N5ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	150 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	21A (Ta), 190A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,6V a 257µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7700 pF @ 75 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 319W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN