Name: IPT129N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 7.8966 EUR
Availability: InStock

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IPT129N20NM6ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPT129N20NM6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPT129N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT129N20NM6ATMA1
Descrição	TRENCH >=100V
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 11A (Ta), 87A (Tc) 3,8W (Ta), 234W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 6
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Ta), 87A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12mOhm a 65A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 129µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3800 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 234W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8-1
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN

Preço unitário sem VAT:	6,42000 €
Preço unitário com VAT:	7,89660 €

IPT129N20NM6ATMA1