Name: IPT60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R022S7XTMA1TR-ND
Price: 13.9851 EUR
Availability: InStock

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IPT60R022S7XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPT60R022S7XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPT60R022S7XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPT60R022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT60R022S7XTMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPT60R022S7XTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 1,44mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 150 nC @ 12 V
Séries CoolMOS™S7	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5639 pF @ 300 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 390W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8-2
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 23A (Tc)	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 12V	Número base de produto IPT60R022
Rds on (máx.) para Id, Vgs 22mOhm a 23A, 12V