Name: IPT65R025CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND
Price: 11.0454 EUR
Availability: InStock

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IPT65R025CM8XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPT65R025CM8XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPT65R025CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT65R025CM8XTMA1
Descrição	IPT65R025CM8XTMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	30 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 101A (Tc) 543W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 25mOhm a 40A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 4,7V a 1,06mA
Séries CoolMOS™	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 124 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5910 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 543W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 101A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN