Name: IPT65R025CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND
Price: 9.8031 EUR
Availability: InStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPT65R025CM8XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPT65R025CM8XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPT65R025CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT65R025CM8XTMA1
Descrição	IPT65R025CM8XTMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 101A (Tc) 543W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	101A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	25mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,7V a 1,06mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	124 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5910 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	543W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN