IPTC015N10NM5ATMA1 está obsoleto e não é mais fabricado.
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Infineon Technologies
Em estoque: 80
Preço unitário : 5,49000 €
Ficha técnica
Canal N 100 V 35A (Ta), 354A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-16-2
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 100 V 35A (Ta), 354A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-16-2
OptiMOS™ TOLT Power MOSFET Packages | Datasheet Preview

IPTC015N10NM5ATMA1

Número de produto da DigiKey
448-IPTC015N10NM5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Número de produto do fabricante
IPTC015N10NM5ATMA1
Descrição
MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 35A (Ta), 354A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-16-2
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IPTC015N10NM5ATMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Part Status
Obsoleto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,5mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,8V a 275µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
208 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
16000 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-HDSOP-16-2
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Obsoleto
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