Name: IPTG017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.6297 EUR
Availability: InStock

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IPTG017N12NM6ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPTG017N12NM6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPTG017N12NM6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPTG017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPTG017N12NM6ATMA1
Descrição	TRENCH >=100V
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 120 V 32A (Ta), 331A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOG-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 6
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	120 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	32A (Ta), 331A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,7mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,6V a 275µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	11000 pF @ 60 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 395W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOG-8-1
Pacote / Invólucro	8-PowerSMD, asa de gaivota