Name: IPTG018N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG018N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 5.412 EUR
Availability: InStock

IPTG018N10NM5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPTG018N10NM5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPTG018N10NM5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPTG018N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPTG018N10NM5ATMA1
Descrição	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 32A (Ta), 273A Tc) 3,8W (Ta), 273W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOG-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPTG018N10NM5ATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	32A (Ta), 273A Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,8mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,8V a 202µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	11000 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 273W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOG-8-1
Pacote / Invólucro	8-PowerSMD, asa de gaivota
Número base de produto	IPTG018N

Preço unitário sem VAT:	4,40000 €
Preço unitário com VAT:	5,41200 €

IPTG018N10NM5ATMA1