Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 5.0061 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montagem em superfície PG-WHSON-8-U02

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IQDH29NE2LM5SCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Descrição	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montagem em superfície PG-WHSON-8-U02
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,29mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 1,448mA
Séries OptiMOS™ 5	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 110 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±16V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 17000 pF @ 12 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 25 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-WHSON-8-U02
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerWDFN-8