Name: IQDH35N03LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.198 EUR
Availability: InStock

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IQDH35N03LM5CGATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQDH35N03LM5CGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQDH35N03LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQDH35N03LM5CGATMA1
Descrição	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Montagem em superfície PG-TTFN-9-U02
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQDH35N03LM5CGATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	66A (Ta), 700A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,35mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 1,46mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	197 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	18000 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TTFN-9-U02
Pacote / Invólucro	9-PowerTDFN
Número base de produto	IQDH35

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