Name: IQE050N08NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5ATMA1TR-ND
Price: 3.4686 EUR
Availability: InStock

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IQE050N08NM5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE050N08NM5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE050N08NM5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQE050N08NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE050N08NM5ATMA1
Descrição	TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 16A (Ta), 101A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-8-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE050N08NM5ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	16A (Ta), 101A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,8V a 49µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	43.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2900 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSON-8-4
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	IQE050N