Name: IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1TR-ND
Price: 4.1943 EUR
Availability: OutOfStock

Novo produto

Canal N 25 V 59A (Ta), 460A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9-1

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Descrição	IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 25 V 59A (Ta), 460A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9-1
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,42mOhm a 20A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 1,7V a 432µA
Séries OptiMOS™ 7	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 63 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±12V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6100 pF @ 12 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 150W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 25 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 59A (Ta), 460A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-WHTFN-9-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro 9-PowerWDFN