Name: IQFH61N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH61N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 9.3849 EUR
Availability: InStock

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IQFH61N06NM5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQFH61N06NM5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQFH61N06NM5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQFH61N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQFH61N06NM5ATMA1
Descrição	TRENCH 40<-<100V
Tempo de espera previsto do fabricante	48 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 51A (Ta), 510A (Tc) 3W (Ta), 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-12-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQFH61N06NM5ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,61mOhm a 100A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3,3V a 247µA
Séries OptiMOS™ 5	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 285 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 18100 pF @ 30 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 300W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 51A (Ta), 510A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSON-12-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-12