Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 4.428 EUR
Availability: InStock

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IRF5210STRLPBF
Número de produto da DigiKey	IRF5210STRLPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRF5210STRLPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF5210STRLPBF
Descrição	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	36 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 100 V 38A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRF5210STRLPBF Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 230 nC @ 10 V
Séries HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2780 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,1W (Ta), 170W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido D2PAK
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 38A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IRF5210
Rds on (máx.) para Id, Vgs 60mOhm a 38A, 10V