IRF5803TRPBF Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IRF5803TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRF5803TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRF5803TRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRF5803TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF5803TRPBF
Descrição	MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 3,4A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície Micro6™ (TSOP-6)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRF5803TRPBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	112mOhm a 3,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1110 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	Micro6™ (TSOP-6)
Pacote / Invólucro	SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Número base de produto	IRF5803

IRF5803TRPBF