Name: IRF6646TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6646TRPBFTR-ND
Price: 2.8536 EUR
Availability: InStock

IRF6646TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRF6646TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRF6646TRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRF6646TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF6646TRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montagem em superfície MN DIRECTFET™
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRF6646TRPBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	12A (Ta), 68A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9,5mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,9V a 150µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2060 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	MN DIRECTFET™
Pacote / Invólucro	MN isométrico DirectFET™
Número base de produto	IRF6646

Preço unitário sem VAT:	2,32000 €
Preço unitário com VAT:	2,85360 €

IRF6646TRPBF