Name: IRF6775MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6775MTRPBFTR-ND
Price: 2.7552 EUR
Availability: OutOfStock

IRF6775MTRPBF
Número de produto da DigiKey	IRF6775MTRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRF6775MTRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRF6775MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF6775MTRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 4,9A (Ta), 28A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montagem em superfície MZ DIRECTFET™
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRF6775MTRPBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	150 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,9A (Ta), 28A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	56mOhm a 5,6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 100µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1411 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	MZ DIRECTFET™
Pacote / Invólucro	MZ isométrico DirectFET™
Número base de produto	IRF6775

Quantidade	Preço unitário	Preço total
4 800	0,61738 €	2 963,42 €
9 600	0,59166 €	5 679,94 €

Preço unitário sem VAT:	2,24000 €
Preço unitário com VAT:	2,75520 €

IRF6775MTRPBF