Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.3653 EUR
Availability: InStock

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IRF7341TRPBFXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF7341TRPBFXTMA1
Descrição	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 55V 4,7A (Tc) 2W (Tc) Montagem em superfície PG-DSO-8-902
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRF7341TRPBFXTMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	55V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,7A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	50mOhm a 4,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	36nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	740pF a 25V
Potência - Máx.	2W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-DSO-8-902