Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.4268 EUR
Availability: InStock

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IRF7341TRPBFXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF7341TRPBFXTMA1
Descrição	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 55V 4,7A (Tc) 2W (Tc) Montagem em superfície PG-DSO-8-902
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRF7341TRPBFXTMA1 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Rds on (máx.) para Id, Vgs 50mOhm a 4,7A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA
Séries HEXFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 36nC a 10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 740pF a 25V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 2W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Configuração 2 canais N (duplo)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Característica FET Porta de nível lógico	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 55V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-DSO-8-902
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4,7A (Tc)