Name: IRF8010PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8010PBF-ND
Price: 3.0381 EUR
Availability: InStock

IRF8010PBF
Número de produto da DigiKey	IRF8010PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF8010PBF
Descrição	MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRF8010PBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	15mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3830 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	260W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220AB
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IRF8010

Preço unitário sem VAT:	2,47000 €
Preço unitário com VAT:	3,03810 €

IRF8010PBF