Name: IRF9Z34NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND
Price: 3.1242 EUR
Availability: InStock

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IRF9Z34NSTRLPBF
Número de produto da DigiKey	IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRF9Z34NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRF9Z34NSTRLPBF
Descrição	MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	48 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 55 V 19A (Tc) 3,8W (Ta), 68W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRF9Z34NSTRLPBF Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 35 nC @ 10 V
Séries HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 620 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 68W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 55 V	Invólucro do dispositivo fornecido D2PAK
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 19A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IRF9Z34
Rds on (máx.) para Id, Vgs 100mOhm a 10A, 10V

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