Name: IRFH8318TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8318TRPBFTR-ND
Price: 1.6482 EUR
Availability: InStock

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IRFH8318TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRFH8318TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRFH8318TRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRFH8318TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRFH8318TRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3,6W (Ta), 59W (Tc) Montagem em superfície PQFN (5x6)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRFH8318TRPBF Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,35V a 50µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 41 nC @ 10 V
Séries HEXFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3180 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,6W (Ta), 59W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido PQFN (5x6)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 27A (Ta), 120A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto IRFH8318
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,1mOhm a 20A, 10V