IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IRFHS9301TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRFHS9301TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRFHS9301TRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRFHS9301TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRFHS9301TRPBF
Descrição	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 6A (Ta), 13A (Tc) 2,1W (Ta) Montagem em superfície 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRFHS9301TRPBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6A (Ta), 13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	37mOhm a 7,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 25µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	580 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-6
Número base de produto	IRFHS9301

IRFHS9301TRPBF