IRFL4105TRPBF Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

IRFL4105TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRFL4105TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRFL4105TRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRFL4105TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRFL4105TRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 55 V 3,7A (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície SOT-223
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRFL4105TRPBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	55 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	45mOhm a 3,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	660 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-223
Pacote / Invólucro	TO-261-4, TO-261AA
Número base de produto	IRFL4105

Preço unitário sem VAT:	0,93000 €
Preço unitário com VAT:	1,14390 €

IRFL4105TRPBF