Name: IRFP4110PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4110PBF-ND
Price: 4.2435 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFP4110PBF
Número de produto da DigiKey	IRFP4110PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRFP4110PBF
Descrição	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Furo passante TO-247AC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRFP4110PBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,5mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	9620 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	370W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247AC
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	IRFP4110

Preço unitário sem VAT:	3,45000 €
Preço unitário com VAT:	4,24350 €

IRFP4110PBF