IRFS4010PBF Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IRFS4010PBF
Número de produto da DigiKey	IRFS4010PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRFS4010PBF
Descrição	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Tubo
Part Status	Descontinuado na Digi-Key
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,7mOhm a 106A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	215 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	9575 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB

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