Name: IRL530NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL530NSTRLPBFTR-ND
Price: 2.3247 EUR
Availability: InStock

IRL530NSTRLPBF
Número de produto da DigiKey	IRL530NSTRLPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRL530NSTRLPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRL530NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRL530NSTRLPBF
Descrição	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 17A (Tc) 3,8W (Ta), 79W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRL530NSTRLPBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	100mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	34 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	800 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IRL530

Preço unitário sem VAT:	1,89000 €
Preço unitário com VAT:	2,32470 €

IRL530NSTRLPBF