Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBFTR-ND
Price: 3.2349 EUR
Availability: InStock

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IRLH5030TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRLH5030TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRLH5030TRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRLH5030TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRLH5030TRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Montagem em superfície PQFN-8 (5x6)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRLH5030TRPBF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 150µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5185 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PQFN-8 (5x6)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	IRLH5030

Preço unitário sem VAT:	2,63000 €
Preço unitário com VAT:	3,23490 €

IRLH5030TRPBF