Name: IRLR3110ZTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3110ZTRPBFTR-ND
Price: 2.214 EUR
Availability: InStock

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IRLR3110ZTRPBF
Número de produto da DigiKey	IRLR3110ZTRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRLR3110ZTRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRLR3110ZTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRLR3110ZTRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Montagem em superfície
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRLR3110ZTRPBF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	42A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	14mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 100µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	48 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3980 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	140W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA (DPAK)
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IRLR3110