Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 2.4477 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IRLR3636TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRLR3636TRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Montagem em superfície
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRLR3636TRPBF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,8mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 100µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	49 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3779 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	143W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA (DPAK)
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IRLR3636