Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 2.5707 EUR
Availability: InStock

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IRLR3636TRPBF
Número de produto da DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Fita cortada (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IRLR3636TRPBF
Descrição	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Montagem em superfície
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IRLR3636TRPBF Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 100µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 49 nC @ 4.5 V
Séries HEXFET®	Vgs (máx.) ±16V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3779 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 143W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA (DPAK)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 50A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto IRLR3636
Rds on (máx.) para Id, Vgs 6,8mOhm a 50A, 10V