Name: ISC024N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC024N08NM7ATMA1TR-ND
Price: 3.6408 EUR
Availability: OutOfStock

Novo produto

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ISC024N08NM7ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISC024N08NM7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISC024N08NM7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISC024N08NM7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISC024N08NM7ATMA1
Descrição	ISC024N08NM7ATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 24A (Ta), 167A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,4mOhm a 50A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3,2V a 71µA
Séries OptiMOS™ 7	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 64 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4600 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 150W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 24A (Ta), 167A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8