Name: ISC104N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 3.444 EUR
Availability: InStock

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ISC104N12LM6ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISC104N12LM6ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISC104N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISC104N12LM6ATMA1
Descrição	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 120 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 94W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,2V a 35µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 26 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 6	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1800 pF @ 60 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 94W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 120 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11A (Ta), 63A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3,3V, 10V	Número base de produto ISC104
Rds on (máx.) para Id, Vgs 10,4mOhm a 28A, 10V