Name: ISK057N04LM6ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND
Price: 1.1562 EUR
Availability: InStock

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ISK057N04LM6ATSA1
Número de produto da DigiKey	448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISK057N04LM6ATSA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISK057N04LM6ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISK057N04LM6ATSA1
Descrição	MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 15A (Ta), 64A (Tc) 2,1W (Ta), 39,1W (Tc) Montagem em superfície PG-VSON-6-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ISK057N04LM6ATSA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 6
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	15A (Ta), 64A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5,75mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	870 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta), 39,1W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-VSON-6-1
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-6