Name: ISZ0602NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ0602NLSATMA1TR-ND
Price: 2.5092 EUR
Availability: InStock

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ISZ0602NLSATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISZ0602NLSATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISZ0602NLSATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISZ0602NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISZ0602NLSATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 2,1W (Ta), 60W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-26
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ISZ0602NLSATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 29µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 29 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1860 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,1W (Ta), 60W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8-26
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Ta), 64A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto ISZ0602N
Rds on (máx.) para Id, Vgs 7,8mOhm a 20A, 10V