Name: ISZ56DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ56DP15LMATMA1TR-ND
Price: 1.8327 EUR
Availability: InStock

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ISZ56DP15LMATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISZ56DP15LMATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISZ56DP15LMATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISZ56DP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISZ56DP15LMATMA1
Descrição	TRENCH >=100V
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 150 V 1,35A (Ta), 6,7A (Tc) 2,5W (Ta), 62,5W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8 FL
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ISZ56DP15LMATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 724µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 40 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1400 pF @ 75 V
Tipo de FET Canal P	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 62,5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 1,35A (Ta), 6,7A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8 FL
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 560mOhm a 5A, 10V	Número base de produto ISZ56DP15