Name: SI4435DYTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: SI4435DYPBFTR-ND
Price: 1.3161 EUR
Availability: InStock

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SI4435DYTRPBF
Número de produto da DigiKey	SI4435DYPBFTR-ND - Fita e carretel (TR) SI4435DYPBFCT-ND - Fita cortada (CT) SI4435DYPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	SI4435DYTRPBF
Descrição	MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 8A (Tc) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SO
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI4435DYTRPBF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	20mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2320 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SO
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	SI4435