
SPB11N60C3ATMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SPB11N60C3ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) SPB11N60C3ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) SPB11N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SPB11N60C3ATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SPB11N60C3ATMA1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Não para novos designs | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 380mOhm a 7A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,9V a 500µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1200 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 125W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO263-3-2 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 3,60000 € | 3,60 € |
| 10 | 2,36800 € | 23,68 € |
| 100 | 1,66890 € | 166,89 € |
| 500 | 1,51476 € | 757,38 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 000 | 1,27469 € | 1 274,69 € |
| 2 000 | 1,23755 € | 2 475,10 € |
| Preço unitário sem VAT: | 3,60000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 4,42800 € |


